于工艺性能上，Rapidus推出名为"2HP"之尖端2nm工艺，逻辑密度达237.31 MTr/mm²，与台积电N2工艺之236.17 MTr/mm²基本持平，均属高密度单元库范畴，相较英特尔Intel 18A之184.21 MTr/mm²优势明显。
Rapidus于2025年4月启动试产线，同年8月成2nm GAA测试芯片流片，并谋划于2026年第一季度向主顾交付2nm PDK。
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产能方面，Rapidus预计2027年初期月产能为6000片晶圆，仅一年后便谋划提升至约2.5万片，增幅超过四倍。
快科技2月13日消息，据wccftech报道，Rapidus正加速推进2nm制程量产谋划，宗旨2028年实现全面量产。
ShenTong。
与此同时，Rapidus已之手筹划更前卫之1.4nm制程，宗旨2029年实现量产。
目前Rapidus正北海道千岁市建立革新集结制造工厂，作为2nm芯片之制造基地。
Rapidus由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠、软银等八家日本企业于2022年共同成立，致力于前卫半导体工艺之本土化设计与制造。
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